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俄媒:俄研发出新二维电子材料 或可打破摩尔定律瓶颈正文

类别:非主流意境 | 点击: | 日期:2019-03-12

原标题:俄媒:俄研发出新二维电子材料 或可打破摩尔定律瓶颈

参考消息网6月26日报道俄媒称,俄罗斯库尔恰托夫研究所学者在国家科学基金资助下,成功研发出一种可供电子设备使用的二维材料。英国权威刊物《自然·通讯》发表了相关成果的介绍。

据俄罗斯《消息报》6月25日报道,美国英特尔公司创始人之一戈登·摩尔曾提出精准的定律,即价格不变时,集成电路上可容纳的元器件数目大约每隔两年便会增加一倍,性能也随之提升一倍。不过,人们普遍认为,如今计算机的发展、处理器的速度已逼近物理极限。好消息是,俄学者的最新成果或将打破这一瓶颈

报道称,业内人士已达成共识,即自旋电子学这一基于电子的量子特性的研发方向才是未来之所在。电子的不同自旋方向或可用于代表数据存储的不同状态,现今使用的计算机存储器所需原子数量非常之巨大,未来也许利用单个原子便能满足需求,计算机的性能势必得到急剧提升。

报道称,自旋电子不仅可继续压缩电子设备体积,还能极大地降低能耗,因为电子自旋跟半导体转换器不同,它不会产生热量。所以,基于它制造的电子器件几乎不会发热,也就无需操心散热了。然而,目前的主要研发方向是实现新技术与现有的硅电子设备的无缝融合。

库尔恰托夫研究所纳米电子学新原子试验室负责人斯托尔恰克博士告诉《消息报》:“全球为制造硅集成电路的工厂投入了数千亿美元的巨资,谁都不想放弃,自旋电子工艺应逐步进入市场,且与旧有技术长期并存。”

库尔恰托夫研究所正是打造出了这样一种材料,能将自旋电子与硅工艺相融合。它属于二维材料,可谓独一无二,是最轻薄的磁膜,只有一层或者几层原子那么厚,能让电子朝一个方向自旋,在此基础上充分发挥自旋电子的所有效用。

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